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CVD氣相沉積爐是Chemical Vapor Deposition的簡稱,是指高溫下的氣相反應(yīng),例如,金屬鹵化物、有機金屬、
碳氫化合物等的熱分解,氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。
這種技術(shù)Z初是作為涂層的手段而開發(fā)的,但目前,不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層,而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、
粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等,是一個頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。
氣相沉積爐這種技術(shù)剛開始發(fā)展時是作為涂層的手段而開發(fā)的,但是目前隨著發(fā)展已經(jīng)不只是應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層了,現(xiàn)在應(yīng)該已經(jīng)應(yīng)用于高純度金屬的精制、
粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等,是一個還比較廣泛的領(lǐng)域。
氣相沉積爐反應(yīng)室的壓力、氣體的流動速率、晶片的溫度等反應(yīng)中間起的作用都是沉積參數(shù)的變化范圍,所以考慮到沉積薄膜中的變數(shù)、以及沉積
速率決定著反應(yīng)室的產(chǎn)量,反應(yīng)生成的膜不僅會沉積在晶片上,也會沉積在反應(yīng)室的其他部件上,所以對反應(yīng)室進行徹底清洗的程度也是重要。
氣相沉積爐是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù),它的原理就是利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物,通過原子、分子間的化學(xué)反應(yīng),在晶片上形
成薄膜。氣相沉積能夠生產(chǎn)出具備高質(zhì)量高純度以及高強度等優(yōu)點的材料,因此在半導(dǎo)體行業(yè)很受歡迎。